Usein kuullaan "maadoitus on erittäin tärkeä", "täytyy vahvistaa maadoitussuunnittelua" ja niin edelleen.Itse asiassa tehoste-DC/DC-muuntimien piirilevyasettelussa ongelman perimmäinen syy on maadoitussuunnittelu ilman riittävää harkintaa ja poikkeamista perussäännöistä.Huomaa, että seuraavia varotoimia on noudatettava tarkasti.Lisäksi nämä näkökohdat eivät rajoitu DC/DC-tehostinmuuntimiin.
Maadoitusliitäntä
Ensin on erotettava analoginen pienen signaalin maadoitus ja tehomaadoitus.Periaatteessa tehomaadoituksen layoutta ei tarvitse erottaa yläkerroksesta, jolla on alhainen johdotusvastus ja hyvä lämmönpoisto.
Jos tehomaadoitus erotetaan ja kytketään takaosaan reiän kautta, rei'ittämisresistanssin ja induktorien vaikutukset, häviöt ja kohina pahenevat.Suojauksen, lämmönpoiston ja DC-häviön vähentämisen vuoksi maadoitus sisäkerrokseen tai takaosaan on vain lisämaadoitus.
Kun maadoituskerros suunnitellaan monikerroksisen piirilevyn sisäkerrokseen tai takaosaan, on kiinnitettävä erityistä huomiota virtalähteen maadoitukseen, jossa suurtaajuuskytkimen kohina on enemmän.Jos toisessa kerroksessa on teholiitäntäkerros, joka on suunniteltu vähentämään DC-häviöitä, yhdistä yläkerros toiseen kerrokseen käyttämällä useita läpimeneviä reikiä teholähteen impedanssin vähentämiseksi.
Lisäksi, jos kolmannessa kerroksessa on yhteinen maa ja neljännessä kerroksessa signaalimaa, tehomaadoituksen ja kolmannen ja neljännen kerroksen välinen yhteys on kytketty vain tehomaadoitukseen tulokondensaattorin lähellä, jossa suurtaajuinen kytkentäkohina. on vähemmän.Älä kytke kohinaisen lähdön tai virtadiodien maadoitusta.Katso alla oleva osiokaavio.
Avainkohdat:
1. Piirilevyasettelu tehostintyyppisessä DC/DC-muuntimessa, AGND ja PGND on erotettava toisistaan.
2. Periaatteessa PGND tehoste-DC/DC-muuntimien piirilevyasettelussa on konfiguroitu ylimmälle tasolle ilman erotusta.
3. DC/DC-muuntimen piirilevyasettelussa, jos PGND on erotettu ja kytketty takapuolelle reiän kautta, häviö ja kohina lisääntyvät reiän resistanssin ja induktanssin vaikutuksesta.
4. Kun tehostimen DC/DC-muuntimen piirilevyasettelussa monikerroksinen piirilevy on kytketty maahan sisäkerroksessa tai takana, kiinnitä huomiota tuloliittimen väliseen liitäntään, jossa korkean taajuuden kohina on korkea. kytkin ja diodin PGND.
5. Tehostetun DC/DC-muuntimen piirilevyasettelussa ylempi PGND on kytketty sisempään PGND:hen useiden läpimenevien reikien kautta impedanssin ja DC-häviön vähentämiseksi.
6. Tehostetun DC/DC-muuntimen piirilevyasettelussa yhteys yhteisen maan tai signaalimaan ja PGND:n välillä tulee tehdä PGND:ssä lähellä lähtökondensaattoria siten, että suurtaajuuskytkimen kohina on vähemmän, ei tuloliittimeen. enemmän kohinaa tai PGN diodin lähellä.