1.югары тыгызлыктагы үзара бәйләнеш (hdi) басылган схема такталары (компьютерлар) электрон упаковка технологиясендә зур алгарышны күрсәтәләр, компонент тыгызлыгын арттырырга һәм гадәти санаклар белән чагыштырганда электр җитештерүчәнлеген яхшыртырга мөмкинлек бирәләр. hdi технологиясе микровияләрне, сукыр виасларны һәм диаметрлы күмелгән виасларны куллана, гадәттә 150 микроннан түбән, бу күпкатлы стакингларга һәм катлам санын киметергә мөмкинлек бирә. бу архитектура сигнал юл озынлыгын киметә, контрольдә тотылган импеданс маршруты аша сигнал бөтенлеген көчәйтә, һәм миллиметр-дулкын диапазонына кадәр 100 ГГцдан арткан югары ешлыктагы кушымталарга ярдәм итә. hdi конструкцияләрендәге чүп озынлыгы аша кыскартылган сигнал чагылдыруларын тагын да йомшарта, pcie 5.0 һәм ddr5 кебек югары тизлекле санлы интерфейслар өчен критик.
2.Төп җитештерү процессларына микровия формалашу өчен uv яки co2 лазерлы лазер бораулау, 1: 1 гә кадәр аспект дәрәҗәләренә ирешү, резин ачлыгын булдырмас өчен түбән басымлы пресслар белән эзлекле ламинация цикллары керә. бакыр электроплатинг аша тутырылган алдынгы каплау техникасы тутыру аша бушлыкны тәэмин итә, ярым өстәмә процесслар (сап) эз киңлекләрен 25 микрон кебек тар итә. Гадәттә кулланылган материаллар үзгәртелгән эпокси, полифенилен эфир (ppe), яки сыек кристалл полимер (lcp) кебек аз югалтулы диэлектрикны үз эченә ала, диэлектрик константалар (dk) 3,5 тән 10 ГГц һәм таралу факторлары (df). mылылык белән идарә итү 400 вт / мкка кадәр булган җылылык үткәрүчәнлеге булган бакыр тутырылган виалар аша, һәм алюминий нитрид яки бор нитрид тутыргычларын үз эченә алган термик үткәргеч субстратлар, автомобиль кушымталарында тоташу температурасы 125 ° C-тан түбән булуын тәэмин итә.
3.hdi компьютерлары оптимальләштерелгән җир асты схемалары аркасында өстен электромагнит яраклашу (emc) характеристикаларын күрсәтәләр, мәсәлән, конфигурацияләр һәм урнаштырылган сыйдырышлык катламнары, электромагнит интерфейсы (эми) нурланышын fr4 нигезендәге конструкцияләр белән чагыштырганда 15-20 db киметәләр. дизайн уйланулары каты импеданс контролен таләп итә, гадәттә 25-56 Гб / с интерфейсындагы дифференциаль парлар өчен 50 охм ± 5%, һәм rf схемалары өчен 50/50 микроннан түбән эз киңлеге / ара кагыйдәләре. кросс-токны бастыру җир асты копланар дулкын саклагычлары аша ирешелә һәм аранжировкалар аша каушап, -40 db-тан кимрәк.
4.5 микрон резолюцияле автоматлаштырылган оптик тикшерү (aoi), 3d буш анализ өчен рентген томография, һәм 10-пс күтәрелү вакыты белән домен рефликометриясе (tdr) сыйфатны тикшерүнең мөһим чаралары. бу ысуллар микровия җитешсезлекләрен ачыклый, мәсәлән, тулы булмаган каплау яки 20 микроннан түбән теркәлү. заявкалар 5 катлы мимо антенна массивларын үз эченә ала, 20 катлы hdi сенажлары, биокомпонентлы солдермаск белән имплантацияләнә торган медицина җайланмалары, 0,2 мм пич белән автомобиль лидар модуллары, һәм mil-prf-31032 класс 3 ышанычлылык стандартларына туры килгән спутник йөкләүләре.
5.Киләчәк эшләнмәләр 0,3 ммнан түбән ультра-нечкә компонентларга юнәлтелә, 15 микрон сызык өчен туры лазер структурасын таләп итә, һәм си фотоника яки ганның гетероген урнашуы өчен өстәмә җитештерү интеграциясе. әйләнә-тирә мохитне саклау, пыяла күчү температурасы (tg) 180 ° C-тан арткан галогенсыз материалларны тикшерә, һәм корычсыз өслек электролсыз никель электролсыз палладий чумдыру алтын (энепиг) кебек бетә, рох 3 күрсәтмәләренә туры килә. промышленность 4.0 интеграциясе реаль вакыттагы процесс мониторингын iot ярдәмендә капланган ванна аша бирә, шул ук вакытта 10,000+ микровия рәсемнәрендә өйрәнелгән машина өйрәнү алгоритмнары 99,3% җитешсезлекне фаразлау төгәллегенә ирешә. hdi технологиясе күчемле электрониканың 30-50% күләмен киметүне дәвам итә, шул ук вакытта адаптацион лазер энергиясен контрольдә тоту һәм бораулауны киметүче нано белән капланган чыгару фильмнары ярдәмендә җитештерү күләмен 98,5% тан арттыру.