1.ýokary dykyzlykly özara baglanyşyk (hdi) çap edilen elektron tagtalary (kompýuterler) elektron gaplama tehnologiýasynda ep-esli öňe gidişligi görkezýär, bu adaty kompýuterler bilen deňeşdirilende has ýokary komponent dykyzlygyny we elektrik öndürijiligini ýokarlandyrýar. hdi tehnologiýasy, köp gatlakly ýygnamaga we gatlak sanyny azaltmaga mümkinçilik berýän, diametri 150 mikrondan pes bolan mikrowiýalary, kör wialary we gömülen wialary ulanýar. bu arhitektura signal ýolunyň uzynlygyny minimuma eltýär, gözegçilik edilýän impedans marşruty arkaly signalyň bitewiligini ýokarlandyrýar we millimetr tolkun aralygy 100 gHz-dan ýokary bolan ýokary ýygylykly programmalary goldaýar. hdi dizaýnlarynda stub uzynlygy arkaly azaldylan, pcie 5.0 we ddr5 ýaly ýokary tizlikli sanly interfeýsler üçin möhüm signal şöhlelerini hasam gowşadýar.

2.Esasy önümçilik proseslerinde mikrowiýa emele gelmek üçin uv ýa-da co2 lazer bilen lazer burawlamak, 1: 1 çenli aspekt derejelerine ýetmek we rezin açlygynyň öňüni almak üçin pes basyşly basyşlar bilen yzygiderli laminasiýa siklleri bar. Mis elektroplatasiýa arkaly doldurylan ösen örtük usullary doldurmak arkaly boşlygy üpjün edýär, ýarym goşmaça amallar (sap) yz giňligini 25 mikron ýaly dar edýär. Köplenç ulanylýan materiallar üýtgedilen epoksi, polifenilen efir (ppe) ýa-da suwuk kristal polimer (lcp) ýaly pes ýitgili dielektrikleri öz içine alýar, dielektrik yzygiderliligi (dk) 3,5 ghz-dan pes we 0.005-den aşak ýaýramak faktorlary (df). malylylyk dolandyryşy 400 w / mk çenli ýylylyk geçirijiligi bolan misden doldurylan wialar we alýumin nitrit ýa-da bor nitrit doldurgyçlaryny öz içine alýan termiki geçiriji substratlar, awtoulag goşundylarynda çatryk temperaturasynyň 125 ° C-den pes bolmagyny üpjün edýär.

3.hdi pcbs, içerki konfigurasiýalar we oturdylan kuwwatlylyk gatlaklary ýaly optimallaşdyrylan toprak shemalary sebäpli ýokary elektromagnit laýyklyk (emc) aýratynlyklaryny görkezýär, fr4 esasly dizaýnlar bilen deňeşdirilende elektromagnit päsgelçilik (emi) radiasiýasyny 15-20 db azaldýar. dizaýn pikirleri, 25-56 Gbps interfeýsdäki diferensial jübütler üçin adatça 50 ohm ± 5%, rf zynjyrlary üçin 50/50 mikrondan aşakda takyk yz giňligi / aralyk düzgünleri. Gepleşikleri basyp ýatyrmak, toprakly koplanar tolkun goragçylary arkaly gazanylýar we birikdirmeler -40 db-den az azaldylýar.

4.5 mikron ölçegli awtomatlaşdyrylan optiki gözden geçirmek, 3d boşluk derňewi üçin rentgen tomografiýasy we 10 ps ýokarlanmak wagty bilen wagt aralygy reflektometri (tdr) hiliň kepili çäreleridir. bu usullar doly däl örtük ýa-da 20 mikrondan aşakda hasaba alynmazlyk ýaly mikrowiýa kemçiliklerini ýüze çykarýar. programmalar 20 gatly hdi stakany, biokompatif lehimli implantasiýa edilýän lukmançylyk enjamlaryny, 0,2 mm çeňňekli awtoulag lidar modullaryny we mil-prf-31032 synp 3 ygtybarlylyk standartlaryna laýyk gelýän emeli hemra ýüklerini talap edýän 5g ullakan mimo antenna massiwini öz içine alýar.

5.Geljekdäki ösüşler, 15 mikron çyzyk kesgitlemeleri üçin gönüden-göni lazer gurluşyny (dls) talap edýän we si fotonikleriň ýa-da ganlaryň birmeňzeş ýerleşdirilmegi üçin goşmaça önümçilik integrasiýasyny talap edýän 0,3 mm-den pes ultra inçe böleklere gönükdirilýär. daşky gurşawyň berjaý edilmegi, aýnanyň geçiş temperaturasy (tg) 180 ° C-den ýokary galogen materiallara gözleg geçirýär we rohs 3 görkezmesine laýyk gelýän elektroless nikel elektroless palladim çümdürme altyn (enepig) ýaly gutarýar. senagat 4.0 integrasiýasy, iot bilen işleýän örtükli hammamlar arkaly real wagt gözegçiligini amala aşyrmaga mümkinçilik berýär, 10,000+ mikrowiýa şekillerinde tälim alan maşyn öwreniş algoritmleri 99,3% kemçiligi çaklamagyň takyklygyna ýetýär. hdi tehnologiýasy, adaptasiýa lazer energiýasyna gözegçilik we buraw ýuwujyny azaldýan nano örtükli filmler arkaly önümçilik girdejisini 98,5% -den ýokary saklamak bilen, göçme elektronikada 30-50% ululygy azaltmaga mümkinçilik berýär.